27 Feb 2026
Китайские исследователи из Пекинского университета заявили о создании самого маленького и энергоэффективного транзистора в мире, способного произвести революцию в производстве чипов для искусственного интеллекта. Разработанные устройства, известные как сегнетоэлектрические полевые транзисторы (FeFET), объединяют в себе функции хранения и обработки данных, работая по принципу, напоминающему механизмы человеческого мозга. В то время как современная полупроводниковая индустрия сталкивается с проблемой растущего энергопотребления систем ИИ из-за необходимости постоянного перемещения данных между отдельными блоками памяти и процессора, новая разработка предлагает кардинальное решение. Главным недостатком традиционных FeFET-транзисторов долгое время оставалось высокое рабочее напряжение, достигавшее 1,5 вольта, что значительно превышало показатели современной логики. Группа ученых под руководством Цю Чэньгуана и Пэн Ляньмао сумела преодолеть это ограничение, применив передовые методы обработки для масштабирования затвора транзистора до беспрецедентного размера всего в один нанометр. Для сравнения, ширина молекулы ДНК составляет около двух нанометров, что подчеркивает атомарную точность выполненной работы. Благодаря измененной структуре транзистора электрическое поле в сегнетоэлектрическом слое формируется при напряжении всего 0,6 вольта, что делает новый транзистор в десять раз экономичнее предшественников. При этом устройство демонстрирует высокую скорость работы с временем отклика до 1,6 наносекунды. Компактность и эффективность разработки открывают перспективы не только для создания энергоэкономичных центров обработки данных и высокопроизводительных чипов, но и для дальнейшей миниатюризации электроники вплоть до узлов размером менее одного нанометра. Технология уже запатентована Пекинским университетом.
Источник: new-science
Фото: Шедеврум, 27.02.2026
23 декабря 2025 года Международный институт развития научного сотрудничества «МИ ...
Генеральный директор Международного Института развития научного сотрудничества М ...
4 апреля 2025 года Международный институт развития научного сотрудничества (МИРН ...
24 декабря 2024 года Международный институт развития научного сотрудничества «МИ ...
3 декабря в Москве стали известны имена победителей III Международной премии «Че ...
Президент Международного Института Развития Научного Сотрудничества
Российский политолог, историк, публицист.
Доктор политических наук, профессор МГИМО
Генеральный директор Международного Института Развития Научного Сотрудничества
Председатель Попечительского совета Международного Института Развития Научного Сотрудничества
Доктор исторических наук, профессор, член-корреспондент РАН. Директор Института востоковедения РАН. Член научного совета Российского совета по международным делам.
Заместитель Председателя Попечительского совета Международного Института Развития Научного Сотрудничества
Доктор исторических наук.
Профессор кафедры стран постсоветского зарубежья РГГУ, профессор факультета глобальных процессов МГУ им. М.В. Ломоносова.